当年的三星作为国际知名的手机厂商，在推出多款Android手机之后，在2010年凭借着Galaxy S系列的推出达到了出货量巅峰。当年的三星Galaxy Ace S5830（以下简称S5830）凭借着极致简约的设计风格，“撞脸”iPhone 4的时尚设计，吸睛无数，成为名符其实的街机。
简约的前面板设计，没有丝毫多余成分，配上和iPhone 4一样3.5寸屏幕，堪称经典。
HOME键设计，放在现如今来看也没有感到丝毫落伍，只不过并没有指纹功能。
恰如其分的机身尺寸，友好舒适的单手握持手感。
后置磨砂手感背壳，可更换电池设计，300万像素CMOS摄像头，这在当时来说已经是很高的配置了。
看下具体的参数，256M RAM+512M ROM，比起当今动辄6G RAM，128G ROM来说，真的很怀疑这手机当时是怎么坚持用下来的。另外1350mAh的电池也并没有觉得有多耗电，也许现在手机配置高了，装的软件多了，功耗也随之增加了吧。
放在当下来看，这手机参数简直不值一提，但经典始终是经典，每当想起来还是值得我们回忆。
一、前言：超越三星B-Die的国产长鑫A-Die颗粒
4266MHz频率的DDR4内存并不少，但是能在能做到4266MHz C18同时将电压控制在1.35V的，大名鼎鼎的三星B-Die不行，海力士DJR不行，美光B-Die同样也不行。
唯一能够做到的，也许你绝对想象不到，会是国产的长鑫A-Die颗粒！
近段时间，朗科推出了基于长鑫A-Die颗粒的绝影RGB DDR4-4266内存，时序CL18-22-22-42，电压1.35V。
朗科绝影RGB DDR4 4266MHz内存的时序和电压已经足够低了，在这个基础上，它还拥有令人咋舌的超频能力，其超频能力之强，令特挑的三星B-Die也望尘莫及。
关于超频，我们在后面的篇幅会进行非常详尽的介绍和测试。
除了强劲的超频能力之外，绝影RGB DDR4内存在灯光效果方面也非常用心。
朗科在内存的PCB板上集成了一颗ENE 6K5830UA0芯片，用于控制灯效，可以实现神光同步，也能让玩家自由设置RGB灯效。
目前市面上绝大多数支持RGB灯效的内存都没有专门的控制芯片，也就是说无法让玩家控制灯效，当然也无法做到神光同步效果。
朗科绝影RGB DDR4 4266MHz内存参数如下：
二、外观：电镀银工艺+ RGB灯效赏析
朗科绝影RGB DDR4采用对称式设计理念，散热马甲采用的是0.8mm 5052铝材，经冲压一体成型，最后再使用电镀银工艺进行处理，
中间是绝影Logo。
顶部的导光柱也做了电镀银处理，整条内存看上去浑然一体。
内存采用单面设计，一面有8颗内存颗粒。
另一面是空的。
特挑的长鑫A-Die颗粒。
放在鑫谷斜杠青年mini机箱内的装机效果图。
三、超频测试：1.35V稳超4600C19
测试平台如下：
1、性能测试
CPU-Z可以检测出一部分参数，朗科制造、长鑫颗粒。
内置有2组XMP参数，分别是4266MHz 19-26-26-46和4266MHz 18-22-22-42，电压都是1.35V。
2组XMP设置分别组了测试，以下测试都是基于Gear 2模式。
4266MHz 18-22-22-42 下，内存读取、写入复制带宽分别为62GB/s、61.7GB/s、58GB/s，延迟55.1ns。
4266MHz 19-26-26-46下，写入复制带宽分别为61GB/s、61.5GB/s、57GB/s，延迟62.3ns。
这里的读写速度变化不大，主要是延迟增加了不少，从55.1ns直接到了62.3ns。
2、超频测试
在XMP1模式下超频到4600MHz时，时序不变，电压依旧是1.35V，VCCIO与VCCSA电压自动，分别为1.056V和1.312V。
实测内存读取、写入、复制速度分别为65.8GB/s、66GB/s、62GB/s，延迟54.2ns。
超频到4800MHz时，时序还是19-26-26-46，但需要将电压加到1.45V才能稳定，VCCIO与VCCSA电压依然是1.056V和1.312V。
实测内存读取、写入、复制带宽分别是69GB/s、69GB/s、64.5GB/s，延迟为52.5ns。
3、稳定性测试
使用Memtest Pro 4.3测试超频后的稳定性，运行了近2个小时，进度达到了270%依然是0报错，证明了朗科绝影RGB DDR4-4266内存可以在1.45V的电压下能稳定在4800MHz C19频率下运行。
四、总结：高频低时序DDR4会是游戏玩家首选
随着DDR5时代的来临，DDR4内存看似已经出沦为明日黄花，但是如今DDR5内存也有明显的缺点。
第一是价格太贵，就算是如今价格大降之后，其售价依然是同容量DDR4内存的1.5~2倍。
第二是延迟太高，DDR5内存大都CL40起步，过高的时序和延迟导致即便是5200MHz频率的DDR5内存，其游戏性能也仅仅只是与低时序的DDR4 3600MHz相当。
考虑到12代酷睿和未来的13代酷睿处理器依旧支持DDR4内存，而高频的DDR4内存凭借其极低的延迟，游戏性能可以轻松碾压DDR5，所以近一两年对于游戏玩家来说，仍然可以优先考虑高频低时序的DDR4内存。
再来说说朗科绝影RGB DDR4-4266内存。
1.35V 4266MHz C18已经令人叹为观止了，然而经过超频我们发现，它竟然能在1.35V电压下超频到4600MHz C19。
单论这个成绩，可以花式吊打各类特挑的B-Die、CJR、DJR内存，长鑫颗粒能够做到这样的程度，是我们先前没有想到的。
三星B-Die要达到同样的频率和时序，可能需要1.5V、1.6V甚至更高的电压。
如果继续往上超，绝影DDR4 4266MHz内存需要1.45V的电压才能到4800MHz C19，此时内存的读写带宽已经逼近70GB/s，而延迟更是只有52ns。
相比之下，DDR5 4800MHz C40的带宽虽然也有70GB/s，但其延迟则高达85ns，游戏性能被4800C19的DDR4内存甩了几条街。
当前，如果12代酷睿是追求极致的游戏性能，显然高频的DDR4内存会是更合适的选择。
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