在生活中我们经常会用到移动电源为手机充电，而电动工具的电池组内部同样采用电池组进行储能，通过搭配专用的放电转换器，可以将电动工具的电池组作为移动电源使用，应急情况下为手机充电，满足不时之需。
充电头网拿到了一款用于得伟电动工具的多功能放电转换器，这款转换器具备USB-C和USB-A输出接口，此外还设有LED照明灯，在夜间可作为手电筒使用，用途多样。下面就带来这款得伟电动工具电池多功能放电转换器的拆解，一起看看内部的设计和用料。
得伟电池放电转换器采用黄色配色，与电池外壳颜色相同。
在转换器侧面贴有标签。
标签型号DCB090 A902
适用于得伟20V 锂离子电池
输入电压：14.4-20V
LED照明：200流明
另一面设有USB-C和USB-A接口，其中USB-C接口支持18W快充，USB-A接口支持5V2.1A输出。
壳体采用十字螺丝固定。
在顶部设有LED照明灯开关按钮。
开关按钮特写。
转换器侧面设有LED照明灯。
LED照明灯和反光灯杯特写。
转换器底部为连接电池的插头。
连接电池插座的舌片特写。
使用游标卡尺测得转换器长度约为93.6mm。
转换器宽度约为59.5mm。
转换器厚度约为38.6mm。
产品拿在手上的大小直观感受。
另外测得转换器净重约为73.6g。
看完了得伟这款放电转换器的外观，下面就进行拆解，一起看看内部的设计和用料。
首先拧开固定螺丝拆开外壳。
照明灯电源开关和LED照明灯窗口特写。
电池组插头和LED照明灯通过导线焊接连接。
电池组连接导线焊接在PCBA模块背面，对应V+和V-端子。
LED照明灯连接导线焊接连接，对应L+和L-端子。
焊接取下电池插头和LED照明灯。
LED采用铝基板焊接，灯杯使用螺丝固定。
LED照明灯特写。
PCBA模块正面一览，在左上角预留了DC接口的降压电路和输出接口焊盘，左下角为USB-C输出接口的降压电路，右下角为USB-A接口的降压电路，在右上角为LED降压调光电路，左侧设有MCU用于开关控制。
背面对应发热芯片露铜加锡，加强散热。
USB-C口采用英集芯IP6520内置协议的同步降压转换器，芯片内部集成降压转换器和协议芯片，外围电路十分精简，仅需7颗阻容元件+1颗电感，即可满足20W快充需求。可用于车充和快充插排以及多口充电器等，转换效率高，协议支持全面。IP6520已经通过了USB PD3.0认证，认证TID号：3277。
英集芯 IP6520 资料信息。
用于USB-C接口降压输出的22μF电感特写。
用于USB-C降压电路的滤波电容规格为100μF35V。
用于USB-A口的降压转换器来自英集芯，型号IP6536，是一颗内部集成开关管的同步降压转换器，支持5V3.1A输出，芯片固定工作频率为150KHz，具备输入过压，输入欠压，输出过流，输出欠压，输出过压等多重保护功能。
英集芯 IP6536 资料信息。
充电头网拆解了解到，英集芯 IP6536 还被GADMEI 100W 2C1A双向快充移动电源、羽博72000mAh便携式储能电源、FLYLEAD 45W 3A1C快充车充、机乐堂45W三合一带线车充等产品采用过。
用于USB-A接口降压输出的33μH电感特写。
用于USB-A降压电路的滤波电容规格为100μF35V。
USB-C接口上下两颗100μF25V滤波电容分别用于USB-C接口和USB-A接口输出滤波。
LED驱动芯片来自华润矽威，型号PT4115，是一颗支持30V输入电压恒流LED驱动器，支持1.2A输出电流，开关频率为1MHz，外围元件极简，采用高侧电流检测，并具备全面的保护功能，采用SOT89-5封装。
47μH降压电感特写。
一颗无标MCU用于整机供电控制。
无标MOS管用于控制供电。
7550-1稳压芯片用于为MCU供电。
电源开关按钮采用贴片焊接。
250mΩ贴片电阻用于电池组输出电流取样。
USB-C母座采用黑色胶芯，过孔焊接固定。
USB-A母座采用沉板过孔焊接。
全部拆解一览，来张全家福。
这款多功能放电转换器适配得伟电动工具电池使用，将电动工具电池和放电转换器组装起来，即可组成移动电源和LED照明灯。转换器具备USB-C和USB-A接口，支持18W快充和10W输出，能够满足手机的应急充电使用。
充电头网通过拆解了解到，这款转换器内置两颗英集芯同步降压充电芯片，其中USB-C接口采用IP6520同步降压转换器，芯片内部集成降压转换器和协议功能。USB-A口采用IP6536同步降压转换器，固定5V输出。两颗芯片外围极其简洁，有效简化电路设计。
近年来，消费类电源市场增速迅猛，一方面是 USB PD 快充实现了大规模普及，大功率以及高电压输出对 MOS 器件的耐压、内阻等各维度性能提出了更高的要求。另一方面，随着锂电储能应用的兴起，市场对于锂电保护 MOS、接口保护 MOS 等的需求也更为强烈。
南京江智科技有限公司（JESTEK）是一家专注于半导体功率器件设计生产与销售的企业。拥有一支从业经验15年以上的设计研发团队，在南京红枫工业园拥有完整的封装测试工厂。
江智科技以功率器件为核心，掌握8英寸先进器件设计工艺，持续关注器件电性能提高以及产品的可靠性提高，江智科技通过 ISO9001，ISO14001 体系认证，与国际一流的芯片、封装、测试代工厂保持密切的合作，保证产品的品质可靠和稳定供货。
江智科技的产品以技术和市场的需要为导向，在中低压MOS、超高压产品市场中占有很大的份额，同时注重多元化发展投入，逐步介入并渗透到模拟器件领域。本次充电头网为各位盘点一下江智科技 MOSFET 在快充市场的应用案例。
江智科技推出的 JST100N30D5G 是一款 N沟道 MOS，耐压 30V。在栅源极电压 VGS 为 10V 下，导通电阻 RDS(on) 不超过 2.8mΩ（典型值 1.9mΩ）；在栅源极电压 VGS 为 4.5V 下，导通电阻 RDS(on) 不超过 4.6mΩ（典型值 3.3mΩ），通过 100% UIS 测试。
江智科技 JST100N30D5G 最大栅源电压 VGSS 为 ±20V；连续漏电流 ID 在 25℃ 下为 100A，在 100℃ 下为 63A；脉冲漏极电流最高 400A；单脉冲雪崩击穿能量 EAS 为 25mJ；容许沟道总功耗 PD 为 42W；热阻 RθJC 为 3℃/W。
江智科技 JST100N30D5G 采用 PDFN5*6-8L 封装，工作温度 -55℃~150℃，适用于 PWM 控制、负载开关、电源管理等应用场景。
应用案例：
1、拆解报告：德鲁西20000mAh 100W双向快充移动电源
江智科技推出的 JST80N30D3A 是一款 N沟道 MOS，耐压 30V。在栅源极电压 VGS 为 10V 下，导通电阻 RDS(on) 不超过 5mΩ（典型值 3.5mΩ）；在栅源极电压 VGS 为 4.5V 下，导通电阻 RDS(on) 不超过 7.5mΩ（典型值 6.7mΩ）。
江智科技 JST80N30D3A 最大栅源电压 VGSS 为 ±20V；连续漏电流 ID 为 55A；脉冲漏极电流最高 220A；单脉冲雪崩击穿能量 EAS 为 35mJ；容许沟道总功耗 PD 为 85W；热阻 RθJC 为 3.5℃/W。
江智科技 JST80N30D3A 采用 PDFN3.3x3.3-8L 封装，工作温度 -55℃~150℃，适用于 PWM 控制、负载开关、电源管理等应用场景。
应用案例：
1、拆解报告：GADMEI 100W 2C1A双向快充移动电源
江智科技推出的 JST60N30D5G 是一款 N沟道 MOS，耐压 30V。在栅源极电压 VGS 为 10V 下，导通电阻 RDS(on) 不超过 7.5mΩ（典型值 5.2mΩ）；在栅源极电压 VGS 为 4.5V 下，导通电阻 RDS(on) 不超过 10.2mΩ（典型值 7.5mΩ），通过 100% UIS 测试。
江智科技 JST60N30D5G 最大栅源电压 VGSS 为 ±20V；连续漏电流 ID 在 25℃ 下为 60A，在 100℃ 下为 38.5A；脉冲漏极电流最高 240A；单脉冲雪崩击穿能量 EAS 为 64mJ；容许沟道总功耗 PD 为 41W；热阻 RθJC 为 3℃/W。
江智科技 JST60N30D5G 采用 PDFN5*6-8L 封装，工作温度 -50℃~150℃，适用于 PWM 控制、负载开关、电源管理等应用场景。
应用案例：
1、拆解报告：德鲁西20000mAh 100W双向快充移动电源
江智科技推出的 JST60N30D3G 是一款 N沟道 MOS，耐压 30V。在栅源极电压 VGS 为 10V 下，导通电阻 RDS(on) 不超过 6mΩ（典型值 4.8mΩ）；在栅源极电压 VGS 为 4.5V 下，导通电阻 RDS(on) 不超过 12mΩ（典型值 7.1mΩ），通过 100% UIS 测试。
江智科技 JST60N30D3G 最大栅源电压 VGSS 为 ±20V；连续漏电流 ID 在 25℃ 下为 60A，在 100℃ 下为 38A；脉冲漏极电流最高 240A；单脉冲雪崩击穿能量 EAS 为 34mJ；容许沟道总功耗 PD 为 35.7W；热阻 RθJC 为 3.5℃/W。
江智科技 JST60N30D3G 采用 PDFNWB3.3*3.3-8L 封装，工作温度 -50℃~150℃，适用于 PWM 控制、负载开关、电源管理等应用场景。
应用案例：
1、拆解报告：安能科技超迷你30W氮化镓充电器
2、拆解报告：UOCO. 45W双USB-C氮化镓充电器
江智科技推出的 JST60P30D3 是一款 P沟道 MOS，耐压 -30V。在栅源极电压 VGS 为 -10V 下，导通电阻 RDS(on) 不超过 7.5mΩ（典型值 5.8mΩ）；在栅源极电压 VGS 为 -4.5V 下，导通电阻 RDS(on) 不超过 12.6mΩ（典型值 9.0mΩ）。
江智科技 JST60P30D3 最大栅源电压 VGSS 为 ±20V；连续漏电流 ID 在 25℃ 下为 -45A，在 100℃ 下为 -29A；脉冲漏极电流最高 -180A；单脉冲雪崩击穿能量 EAS 为 75.7mJ；容许沟道总功耗 PD 为 23W；热阻 RθJC 为 5.4℃/W。
江智科技 JST60P30D3 采用 PDFNWB3.3*3.3-8L 封装，工作温度 -55℃~150℃，适用于 PWM 控制、负载开关、电源管理等应用场景。
应用案例：
1、拆解报告：德鲁西20000mAh 100W双向快充移动电源
江智科技推出的 JST20P30D3 是一款 P沟道 MOS，耐压 -30V。在栅源极电压 VGS 为 -10V 下，导通电阻 RDS(on) 小于 11mΩ；在栅源极电压 VGS 为 -4.5V 下，导通电阻 RDS(on) 小于 18mΩ。
江智科技 JST20P30D3 最大栅源电压 VGSS 为 ±20V；连续漏电流 ID 在 25℃ 下为 -35A，在 100℃ 下为 -23A；脉冲漏极电流最高 -140A；单脉冲雪崩击穿能量 EAS 为 78.8mJ；容许沟道总功耗 PD 为 21.5W；热阻 RθJC 为 5.8℃/W。
江智科技 JST20P30D3 采用 PDFNWB3.3*3.3-8L 封装，工作温度 -55℃~150℃，适用于 PWM 控制、负载开关、电源管理等应用场景。
应用案例：
1、拆解报告：德鲁西20000mAh 100W双向快充移动电源
小型化，大功率，低功耗始终是消费类产品发展的不变的追求和趋势，因此高密度高集成也就成了各个芯片设计公司以及客户孜孜不倦予以突破的技术瓶颈。在 USB PD 技术各种应用领域中 MOSFET 无疑承担了主要的功率分配，也是高密度高集成产品能否实现的核心器件。
面对持续增长的消费类电源市场，南京江智科技已推出数百款针对不同应用场景的 MOSFET 功率器件，为电源厂商的产品开发提供一站式 MOSFET 解决方案，满足电源厂商的多样化需求。
相关问答
3条回答:网上到是有卖的这个电池的,你自己搜搜,二三十一块,需要自己接电源线换,要是不会你就去售后换吧。
现在都用数码相框了,不仅好看,还十分方便,建议你买个数码相框,牌子的话你可以参考下十大品牌的,像爱国者aigo,三星Samsung,佳的美Gadmei,飞利浦Philips,...现...
