唯一获得SK海力士官方认证!雷克沙ARES RGB DDR5 8000 32GB内存评测

一、前言:业内唯一获得海力士官方认证的A-Die颗粒DDR5内存

DDR4时代,三星的B-Die可谓是名满天下。不过随着DDR5的到来,三星并没有续写前代的辉煌,而海力士的A-Die则成了高性能超频DDR5内存颗粒的代名词。

虽然市面上高频DDR5内存几乎清一色采用了海力士DRAM颗粒,但真正取得了SK海力士官方认证的仅有雷克沙的ARES RGB DDR5内存,在性能、稳定性和可靠性上都有保障。而那些宣传 “严选”、“特挑”、“精选”海力士颗粒的DDR5内存,是否100%海力士A-Die实际上都难以验证。

我们今天测试的这款雷克沙ARES RGB DDR5 8000 32GB套条,频率高达8000MT/s的同时,将时序控制在了CL38,并且电压仅有1.45V。

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雷克沙ARES RGB DDR5 8000 32GB套条 采用的是SK海力士A-DIE颗粒,这是目前公认的超频能力最强的DDR5内存颗粒。

为了控制温度,雷克沙设计了1.8mm厚的全铝散热马甲,再搭配PMIC专属导热硅脂垫,即便频率高达8000MT/s,内存满载烤机温度也能控制在60度以内。

在灯光方面,雷克沙也别具用心。

ARES RGB DDR5 8000内存采用了超大面积的ARGB灯条,内置8颗高亮LED灯珠,PCB上还集成了一颗ENE 6K5830UA0芯片,用于控制灯效,支持四大主板厂商灯效软件调控,可支持13灯光模式。

二、外观与灯效赏析

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包装盒。

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开箱。

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雷克沙ARES RGB DDR5 8000汲取赛车元素设计灵感,将极速与激情融入每一个细节。内存采用黑色PCB板,上面覆盖着厚度为1.8mm的黑色铝合金散热片,顶端是大面积的导光条。

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拆下散热片,可以看到正面有8颗SK海力士的DDR5 DRAM IC。

为了保证高频下的稳定性,ARES RGB DDR5 8000采用了10层PCB板,并优化了PCB排线布局,可有效提升信号传输效率和稳定性。

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另外一面没有内存颗粒,不过有一颗ENE 6K5830UA0芯片,用来控制灯光。

顶端则是8颗高亮LED灯珠。

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SK海力士A-Die, 也是当前超频能力最强的DDR5内存颗粒。

以下是装机灯效。

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三、性能测试:延迟低至53ns 游戏最低帧暴涨37%

测试平台如下:

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从CPU-Z可以看到,雷克沙ARES RGB DDR5 8000只预设了一组XMP参数,在默认状态下,内存频率时序为4800MT/s 40-40-40-77,打开XMP之后会变成8000MT/s 38-48-48-100

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这是在BIOS全默认的情况下测得的数据,此时内存频率为5000MT/s,时序为40-40-40-76 CR2,内存的读取、写入和复制带宽分别为:76328MB/s、68340MB/S、69348MB/s。而内存的延迟则为88.7ns。

直接在BIOS开启XMP模式,让雷克沙ARES RGB DDR5 8000内存运行在8000MT/s频率,时序38-48-48-148 CR2,默认电压1.45V。

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此时的内存的读取、写入和复制带宽分别为119GB/s、100GB/S、103GB/s,提升幅度超过50%,延迟大幅度降到了61.4ns。

2、超频机稳定性测试

其实8000MT/s内存频率已经很高了,所以对于这里我们主要是调整时序小参,很多时候优化过时序之后,带来的性能提升甚至比直接超频要更高。

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我们把电压微升至1.48V,将时序调整为36-46-46-100,另外还优化了tREFI、tRFC2等参数。

然后测的读取、写入和复制带宽分别为124GB/s、106GB/S、109GB/s,提升不算很大,只有5%左右。

不过延迟却从61.4ns大幅度降低到了53ns,这对于提升游戏帧率很有帮助。

3、游戏帧率测试

1)、古墓丽影:暗影

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4800MT/s C40时,帧率为281FPS。

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8000MT/s频率下,帧率达到了336FPS,特别是5%low FPS从201FPS提升到了242FPS,提升整整20%。

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2)、孤岛惊魂6

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4800MT/s时,平均帧率173FPS,最低帧136FPS。

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8000MT/sC38时序下,平均帧率208FPS,最低帧率168FP。

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3)、赛博朋克2077

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4800MT/sC40时,平均帧率197FPS,最低帧59FPS。

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8000MT/s频率下,平均帧率224FPS,虽然提升不多,但最低帧达到了81FPS,比4800MT/s时足足提升了37%。

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四、总结:买得起的高端旗舰内存

很多DIY老鸟对于初代DDR5不屑一顾,和只有50ns延迟的B-Die颗粒DDR4 4000MT/s比起来,DDR5 4800MT/s的延迟超过了80ns,过高的延迟完全抵消了DDR5内存高频高带宽的优势,导致其游戏性能依旧停留在DDR4的水准。

而随着海力士A-Die DDR5颗粒的逐渐成熟,现在雷克沙ARES RGB DDR5 8000内存在开启XMP之后就能达到61ns延迟,继续优化时序小参可以将延迟进一步降低只53ns,而内存读写带宽则高达124GB/s。

如此的带宽和延迟相搭配,雷克沙ARES RGB DDR5 8000内存的综合性能完全达到了旗舰级DDR5内存的水准。

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我们也进行了游戏测试,将内存频率从4800MT/s提升到8000MT/s之后,3款3A大作的平均帧率提升了12%左右。而最低帧则提升幅度达到了20%,赛博朋克2077》甚至达到了37%。这就意味着一些非常态复杂的游戏场景中,8000MT/s内存条可以获得更加流畅的游戏体验。

在颜值方面,雷克沙ARES RGB DDR5 8000内存配备了超大尺寸的ARGB导光柱,其灯光效果要好于市面上绝大多数DDR5内存。

相比与竞品普遍都是1.5V的高电压,作为业内唯一获得海力士官方认证的A-Die颗粒DDR5内存,ARES RGB DDR5 8000在精良的做工以及优秀的调校之下,电压仅有1.45V。低电压不仅能降低了功耗温度,同时也表明它拥有更好的超频潜力。

目前市面上的DDR5 8000 32GB套条售价普遍都在1999元以上,2999元的也不在少数,而雷克沙ARES RGB DDR5 8000 16GBx2售价仅为1499元。更好的性能、唯一获得海力士认证、这样的售价的确有些出人所料,从这里也可以看出雷克沙想要普及高端旗舰内存的决心!

麒零8000S到底是7纳米还是14纳米?一切都因台积电玩坏了工艺命名

日本分析机构在拆解了国产5G手机对5G芯片进行扫描后,认为它的工艺只有14纳米,而一些专家则认为这是7纳米,导致如此混乱的原因在于台积电玩坏了芯片工艺的命名规则。

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在16纳米之前,芯片制造企业是以栅极间距来认定芯片工艺的,不过随着通过栅极间距逐渐达到极限,芯片制造企业就无法单纯通过缩短栅极间距来提升芯片性能了,为此引入了FinFET技术。

FinFET技术与此前的采用MOSFET的平面结构可谓是芯片工艺的一项革新性技术,绝缘衬底上凸起的高而薄的鳍可以辅助控制电流,加强了栅对勾到的控制,大幅降低了漏电现象,从而延续了芯片制造工艺的升级。

对于手机处理器、PC处理器这类高性能芯片还可以通过FinFET技术来控制漏电等问题而进一步缩减栅极间距,而对于存储芯片之类为了确保耐用性以及可靠性,就无法进一步缩短栅极间距,因此目前存储芯片止步于10纳米以上工艺,而是通过更多层的设计来增加存储芯片的容量,目前存储芯片已开发出300层以上的3D设计。

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既然此前的芯片工艺命名规则已无法延续下去,但是芯片制造企业和芯片设计企业仍然需要芯片制造工艺升级的营销噱头,于是芯片制造企业就根据芯片性能的提升、功耗下降、晶体管密度等参数的升级对芯片工艺命名。

目前全球最先进的三大芯片制造厂Intel、台积电、三星等对芯片工艺的命名都已出现混乱,Intel在三大芯片制造企业中算是较为保守的了,这也导致Intel在14纳米工艺之后一直延迟10纳米、7纳米工艺的量产时间。

对比之下,台积电和三星则较为激进,这也导致它们的10纳米及以下工艺屡屡被质疑并未达到预期的水平,此前Intel就曾指出台积电、三星的7纳米工艺不过与Intel的10纳米工艺相当,高通也曾在内部指出这个问题,不过基于营销的需要大家都默契地很少再谈论这个问题,于是台积电、三星的7纳米、5纳米、3纳米不断升级。

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国产的麒零8000S的芯片工艺有被认为14纳米,也有被认为7纳米也就不奇怪,如果按照栅极间距来看,它的工艺与台积电7纳米、14纳米都不会有太大差别,所以日本分析机构认为它是14纳米也没什么错。

如果按照台积电的命名规则,麒零8000S的晶体管密度已达到7纳米,那么说它是7纳米也没错;据称麒零8000S的性能更与5纳米的骁龙888差不多,如此说它接近5纳米工艺更没错了。

骁龙888采用了三星的5纳米工艺,此前台媒digitimes就指出三星的5纳米工艺在晶体管密度方面与台积电的5纳米差太远了,只是比台积电的7纳米EUV工艺稍强,麒零8000S与台积电的7纳米工艺等效,接近三星5纳米工艺的骁龙888并没什么好奇怪的。

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麒零8000S引发的争议恰好给中国芯片启发,那就是芯片制造工艺在14纳米之后,其实提升性能已有不同的办法,并不一定需要采用更先进的EUV光刻机来缩短栅极间距提升性能,而可以开辟新的路径,这对于一直难以获得EUV光刻机的中国芯片来说将是一条可行的道路。

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